很多人不了解为什么无尘室要对湿度的要求这么高，必须得在这个范围内，超出或者低于都不行，这就有点太强势了对吧，其实有这个要求也是对我们的一种负责。下面 为大家介绍。

　　湿度是无尘室运行全过程中一个常见的自然环境操纵标准。半导体材料净化室中相对性湿度的总体目标bai值大概操纵在30至50%的范畴内，容许出现偏差的原因在±1%的狭小的范畴内，比如光刻技术区──或是在远紫外光解决(DUV)区乃至更小──而在别的地区则能够释放压力到±5%的范畴内。由于相对性湿度有一系列很有可能使净化室整体主要表现降低的要素，在其中包含：病菌生长发育;工作员觉得室内温度舒服的范畴;出現静电作用;电化学腐蚀;水蒸气冷疑;光刻技术的衰退;吸水能力。

　　病菌和别的生物入侵(黄曲霉菌，病原体，细菌，满虫)在相对性湿度超出60%的自然环境中能够活跃性地繁育。一些有益菌在相对性湿度超出30%时就可以提高。而相对性湿度处在40%至60%的范畴中间时，能够使病菌的危害及其上呼吸道感染降至最少。因此 净化室相对性湿度要操纵在一定范畴。

　　对湿度在40%至60%的范畴一样也是人们觉得舒服的适当范畴。假如净化室湿度过过高让人感觉憋闷，而湿度小于30%则会令人觉得干躁，皮肤皲裂，呼吸系统不适感及其感情上的不悦，进而危害工作中。

　　当相对性湿度超出50%时，静电作用刚开始快速消退，可是当相对性湿度低于30%时，他们能够在导体和绝缘体或是未接地装置的表层上不断存有较长一段时间。净化室相对性湿度在35%到40%中间能够做为一个比较满意的最合适的，半导体材料净化室一般都应用附加的操纵设备以限定静电作用的累积。

　　在高的相对性湿度自然环境下，因为水份的消化吸收，使烤制循环系统后光刻技术澎涨加剧。光刻技术粘合力一样还可以遭受较高的相对性湿度的不良影响;较低的相对性湿度(约30%)使光刻技术粘附更为非常容易，乃至不用汇聚改性材料，如六羟基二硅氮烷(HMDS)。

　　许多 化学变化的速率，包含浸蚀全过程，将伴随着相对性湿度的提高而加速。一些金属材料，比如铝，能够与水产生一层维护型的金属氧化物，并阻拦进一步的氧化还原反应;另一种金属材料，比如氯化铜，不是具备维护工作能力的。在高湿度的自然环境中，铜质表层更非常容易遭受浸蚀。